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Si5853CDC
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
6
4
V GS = 5 V thr u 2.5 V
V GS = 2 V
2.0
1.6
1.2
0. 8
T C = 125 °C
2
V GS = 1.5 V
0.4
T C = 25 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.30
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.25
V GS = 1.8 V
500
400
C iss
0.20
300
0.15
V GS = 2.5 V
200
0.10
0.05
V GS = 4.5 V
100
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 2.9 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 2.5 A
6
1.6
1.4
V GS = 1. 8 V
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
V GS = 4.5 V , 2.5 V
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69774
S10-0547-Rev. B, 08-Mar-10
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